Infineon AUIRFZ24N AUIRFZ24NSTRL N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 17 A 45 W, 2 + Tab-Pin D2PAK
- RS Best.-Nr.:
- 162-3271
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFZ24NSTRL
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 162-3271
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFZ24NSTRL
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 17 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 55 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 2 + Tab | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 70 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 45 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Breite | 9.65mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.3V | |
| Serie | AUIRFZ24N | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 17 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 55 V | ||
Gehäusegröße D2PAK | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 2 + Tab | ||
Drain-Source-Widerstand max. 70 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 45 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Breite 9.65mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 20 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.3V | ||
Serie AUIRFZ24N | ||
Dieser speziell für Automobilanwendungen entwickelte HEXFET®-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser Konstruktion: Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, hohe Schaltgeschwindigkeit und eine bessere Bewertung wiederholter Lawinen. Diese Eigenschaften machen diese Konstruktion zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Automobilanwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.
Fortschrittliche PlanartechnologieGeringer Widerstand im eingeschalteten ZustandDynamische dV/dT- und dI/dT-LeistungsfähigkeitBetriebstemperatur von 175 °CSchnelle SchaltgeschwindigkeitWiederholte Lawine bis Tjmax erlaubtBleifreiZielanwendungen: Beleuchtung