Infineon IRF3710ZS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 59 A 160 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
162-3273
Herst. Teile-Nr.:
IRF3710ZSTRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

59A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

IRF3710ZS

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

160W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

82nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

9.65 mm

Höhe

4.83mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Dieser HEXFET®-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser Konstruktion: Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, hohe Schaltgeschwindigkeit und eine bessere Bewertung wiederholter Lawinen. Diese Eigenschaften machen diese Konstruktion zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Fortschrittliche VerfahrenstechnologieSehr niedriger EinschaltwiderstandDynamische dv/dt-BewertungBetriebstemperatur von 175 °CSchnelle SchaltgeschwindigkeitWiederholte Lawine bis Tjmax erlaubtBleifrei

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