International Rectifier IRLML2502 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,2 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

Einfacher N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET für 20 V mit Micro-3-Bauform

SOT-23-Bauform mit Industriestandard-PinbelegungKompatibel mit bestehenden Oberflächenmontagetechniken, halogenfreiHerstellerübergreifende KompatibilitätEinfacher in der HerstellungUmweltfreundlicherErhöhte Zuverlässigkeit

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.