Infineon IRF1010EZS IRF1010EZSTRLP N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 84 A 140 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 162-3279
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1010EZSTRLP
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
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- 162-3279
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1010EZSTRLP
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 84 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 8,5 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 140 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 9.65mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 58 nC @ 10 V | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.3V | |
| Serie | IRF1010EZS | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 84 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 8,5 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 140 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 9.65mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 58 nC @ 10 V | ||
Höhe 4.83mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.3V | ||
Serie IRF1010EZS | ||
Dieser HEXFET®-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser Konstruktion: Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, hohe Schaltgeschwindigkeit und eine bessere Bewertung wiederholter Lawinen. Diese Eigenschaften machen diese Konstruktion zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
Fortschrittliche VerfahrenstechnologieSehr niedriger EinschaltwiderstandDynamische dv/dt-BewertungBetriebstemperatur von 175 °CSchnelle SchaltgeschwindigkeitWiederholte Lawine bis Tjmax erlaubtBleifrei