Infineon AUIRF AUIRFSL4115 N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 99 A 375 W, 3-Pin TO-262
- RS Best.-Nr.:
- 162-3298
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFSL4115
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 162-3298
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFSL4115
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 99 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 150 V | |
| Gehäusegröße | TO-262 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 12,1 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 375 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 9.65mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 77 nC @ 10 V | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.3V | |
| Serie | AUIRF | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 99 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 150 V | ||
Gehäusegröße TO-262 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 12,1 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 375 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 9.65mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 10.67mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 77 nC @ 10 V | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.3V | ||
Serie AUIRF | ||
Höhe 4.83mm | ||
Dieser speziell für Automobilanwendungen entwickelte HEXFET®-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser Konstruktion: Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, hohe Schaltgeschwindigkeit und eine bessere Bewertung wiederholter Lawinen. Diese Eigenschaften machen diese Konstruktion zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Automobilanwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.
Fortschrittliche VerfahrenstechnologieSehr niedriger EinschaltwiderstandBetriebstemperatur von 175 °CSchnelle SchaltgeschwindigkeitWiederholte Lawine bis Tjmax erlaubtBleifrei