Infineon IRF3710ZS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 59 A 160 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 162-3302P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3710ZSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme 10 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
14,28 €
(ohne MwSt.)
16,99 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 130 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 + | 1,428 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 162-3302P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3710ZSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 59A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IRF3710ZS | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 82nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 160W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 9.65 mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 59A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IRF3710ZS | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 82nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 160W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 9.65 mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Dieser HEXFET®-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser Konstruktion: Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, hohe Schaltgeschwindigkeit und eine bessere Bewertung wiederholter Lawinen. Diese Eigenschaften machen diese Konstruktion zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
Fortschrittliche VerfahrenstechnologieSehr niedriger EinschaltwiderstandDynamische dv/dt-BewertungBetriebstemperatur von 175 °CSchnelle SchaltgeschwindigkeitWiederholte Lawine bis Tjmax erlaubtBleifrei