International Rectifier IRF7809AV IRF7809AVTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14,6 A 2,5 W, 8-Pin SO
- RS Best.-Nr.:
- 162-3306
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7809AVTRPBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 162-3306
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7809AVTRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 14,6 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | SO | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 9 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 2,5 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±12 V | |
| Länge | 5mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 41 nC @ 5 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 4mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Serie | IRF7809AV | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.3V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 14,6 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße SO | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 9 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 2,5 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±12 V | ||
Länge 5mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 41 nC @ 5 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 4mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Serie IRF7809AV | ||
Höhe 1.5mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.3V | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
Einfacher N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET für 30 V mit SO-8-Bauform
SO-8-Bauform mit Industriestandard-PinbelegungKompatibel mit bestehenden OberflächenmontagetechnikenHalogenfrei