Infineon IRF3707ZS IRF3707ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 59 A 57 W, 2 + Tab-Pin D2PAK

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RS Best.-Nr.:
162-3310
Herst. Teile-Nr.:
IRF3707ZSTRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

59 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

D2PAK

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

2 + Tab

Drain-Source-Widerstand max.

12,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.25V

Gate-Schwellenspannung min.

1.35V

Verlustleistung max.

57 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Breite

9.65mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.67mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

9,7 nC @ 4,5 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Diodendurchschlagsspannung

1V

Höhe

4.83mm

Serie

IRF3707ZS

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Einfacher N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET für 30 V mit D2-Pak-Bauform

Synchrone Hochfrequenz-Abwärtswandler für ComputerprozessorleistungBleifreiNiedriger RDS (Ein) bei 4,5 V VGSBesonders niedrige Gate-ImpedanzLawinenspannung und -strom umfassend beschrieben