Infineon IRF9410 IRF9410TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7 A 2,5 W, 8-Pin SO
- RS Best.-Nr.:
- 162-3312
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9410TRPBF
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 162-3312
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9410TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 7 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | SO | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 50 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 2,5 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| Länge | 5mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Serie | IRF9410 | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 7 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße SO | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 50 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 2,5 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 18 nC @ 10 V | ||
Länge 5mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Serie IRF9410 | ||
Diodendurchschlagsspannung 1V | ||
RoHS: nicht konform / nicht kompatibel
Die HEXFETS der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das SO-8 wurde durch einen kundenspezifischen Leiterrahmen modifiziert, um verbesserte thermische Eigenschaften und die Fähigkeit zur Mehrfachstempelung zu erreichen, was es ideal für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen macht. Mit diesen Verbesserungen können mehrere Geräte in einer Anwendung verwendet werden, wodurch der Platzbedarf auf der Leiterplatte drastisch reduziert wird. Das Gehäuse ist für Dampfphasen-, Infrarot- oder Schwall-Lötverfahrenstechniken ausgelegt.
Niedriger RDS (EIN)Branchenführende QualitätDynamische dv/dt-BewertungSchnelle SchaltgeschwindigkeitBetriebstemperatur von 175 °C