Texas Instruments NexFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET-Modul 30 V / 120 A 12 W, 8-Pin SON
- RS Best.-Nr.:
- 162-8561
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD87350Q5D
- Marke:
- Texas Instruments
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- RS Best.-Nr.:
- 162-8561
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- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 120 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | SON | |
| Serie | NexFET | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,2 mΩ, 5 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.1V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 12 W | |
| Transistor-Konfiguration | Serie | |
| Gate-Source Spannung max. | +8 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 20 nC @ 4,5 V, 8,4 nC @ 4,5 V | |
| Länge | 6.1mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Breite | 5.1mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 120 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße SON | ||
Serie NexFET | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1,2 mΩ, 5 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.1V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 12 W | ||
Transistor-Konfiguration Serie | ||
Gate-Source Spannung max. +8 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 20 nC @ 4,5 V, 8,4 nC @ 4,5 V | ||
Länge 6.1mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Breite 5.1mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- MY