Texas Instruments NexFET CSD16406Q3 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 79 A 46 W, 8-Pin SON

Marke

Texas Instruments

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

79 A

Drain-Source-Spannung max.

25 V

Gehäusegröße

SON

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

7,4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.2V

Gate-Schwellenspannung min.

1.4V

Verlustleistung max.

46 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +16 V

Breite

3.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

5,8 nC bei 4,5 V

Länge

3.4mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Diodendurchschlagsspannung

1V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

NexFET

Höhe

1.1mm