NexFET CSD16406Q3 N-Kanal MOSFET, 25 V / 79 A, 46 W, SON 8-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: PH
Produktdetails

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments

MOSFET-Transistoren, Texas Instruments

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 79 A
Drain-Source-Spannung max. 25 V
Gehäusegröße SON
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Drain-Source-Widerstand max. 7,4 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2.2V
Gate-Schwellenspannung min. 1.4V
Verlustleistung max. 46 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -12 V, +16 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Länge 3.4mm
Breite 3.4mm
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur min. –55 °C
Diodendurchschlagsspannung 1V
Serie NexFET
Höhe 1.1mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 5,8 nC bei 4,5 V
Betriebstemperatur max. +150 °C
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 2500)
0,423
(ohne MwSt.)
0,503
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +
0,423 €
1.057,50 €
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