Texas Instruments NexFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3 A 750 mW, 6-Pin DSBGA

RS Best.-Nr.:: 162-9740
Herst. Teile-Nr.:: CSD25304W1015T
Marke:: Texas Instruments

Texas Instruments NexFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3 A 750 mW, 6-Pin DSBGA

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Herst. Teile-Nr.:: CSD25304W1015T
Marke:: Texas Instruments

ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	3 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	DSBGA
Serie	NexFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	92 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.15V
Gate-Schwellenspannung min.	0.55V
Verlustleistung max.	750 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–8 V, +8 V
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	1mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	3,3 nC @ 4,5 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	1.5mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1V

Texas Instruments NexFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3 A 750 mW, 6-Pin DSBGA

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P-Kanal-Leistungs-MOSFET NexFET™, Texas Instruments

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