Texas Instruments NexFET P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3 A 750 mW, 6-Pin DSBGA

Marke

Texas Instruments

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

3 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

DSBGA

Serie

NexFET

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

92 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.15V

Gate-Schwellenspannung min.

0.55V

Verlustleistung max.

750 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–8 V, +8 V

Länge

1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

3,3 nC @ 4,5 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

1.5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Diodendurchschlagsspannung

1V

Betriebstemperatur min.

–55 °C