onsemi NTMFS6B14NG N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 50 A 77 W, 8-Pin SO-8FL
- RS Best.-Nr.:
- 163-0291
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS6B14NT1G
- Marke:
- onsemi
Bestandsabfrage leider nicht möglich
- RS Best.-Nr.:
- 163-0291
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS6B14NT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 50 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | SO-8FL | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 23 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Verlustleistung max. | 77 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 6.1mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| Breite | 5.1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 50 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße SO-8FL | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 23 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Verlustleistung max. 77 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 6.1mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 20 nC @ 10 V | ||
Breite 5.1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 1.05mm | ||
- Ursprungsland:
- MY