onsemi N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9 A 65 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 163-0293
- Herst. Teile-Nr.:
- NTP8G202NG
- Marke:
- ON Semiconductor
Bestandsabfrage leider nicht möglich
- RS Best.-Nr.:
- 163-0293
- Herst. Teile-Nr.:
- NTP8G202NG
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 9 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 350 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 65 W | |
| Transistor-Konfiguration | Kaskode | |
| Gate-Source Spannung max. | -18 V, +18 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 4.83mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 10.53mm | |
| Transistor-Werkstoff | GaN | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 6,2 nC @ 4,5 V | |
| Höhe | 15.75mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 2.1V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 9 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 350 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 65 W | ||
Transistor-Konfiguration Kaskode | ||
Gate-Source Spannung max. -18 V, +18 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 4.83mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 10.53mm | ||
Transistor-Werkstoff GaN | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 6,2 nC @ 4,5 V | ||
Höhe 15.75mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 2.1V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN