onsemi N-Kanal, THT MOSFET 1500 V / 2 A 50 W, 3-Pin TO-3P
- RS Best.-Nr.:
- 163-2022
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3747-1E
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 163-2022
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3747-1E
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 1500 V | |
| Gehäusegröße | TO-3P | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 13 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V | |
| Verlustleistung max. | 50 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -35 V, +35 V | |
| Breite | 5.5mm | |
| Länge | 15.5mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 37,5 nC @ 10 V | |
| Höhe | 24.5mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 1500 V | ||
Gehäusegröße TO-3P | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 13 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V | ||
Verlustleistung max. 50 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -35 V, +35 V | ||
Breite 5.5mm | ||
Länge 15.5mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 37,5 nC @ 10 V | ||
Höhe 24.5mm | ||
- Ursprungsland:
- KR