onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 116 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 163-2290
- Herst. Teile-Nr.:
- NTB5405NT4G
- Marke:
- onsemi
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- 163-2290
- Herst. Teile-Nr.:
- NTB5405NT4G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 116 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 8 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V | |
| Verlustleistung max. | 150 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Länge | 10.29mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 88 nC bei 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 9.65mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 116 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 8 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V | ||
Verlustleistung max. 150 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Länge 10.29mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 88 nC bei 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 9.65mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- MY