STMicroelectronics STI28 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 22 A 170 W, 3-Pin I2PAK
- RS Best.-Nr.:
- 164-6985P
- Herst. Teile-Nr.:
- STI28N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 10 Stück (geliefert in Stange)*
24,65 €
(ohne MwSt.)
29,33 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 16. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 18 | 2,465 € |
| 20 - 48 | 2,39 € |
| 50 - 98 | 2,33 € |
| 100 + | 2,275 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 164-6985P
- Herst. Teile-Nr.:
- STI28N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 22A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | STI28 | |
| Gehäusegröße | I2PAK | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 150mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 9.3mm | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie STI28 | ||
Gehäusegröße I2PAK | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 9.3mm | ||
Breite 4.6 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Bei diesen Geräten handelt es sich um N-Kanal-Leistungs-MOSFETs die mit der MDmesh™-M2-Technologie entwickelt wurden. Dank des Leistenlayouts und der verbesserten senkrechten Struktur weisen diese Geräte einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und optimierte Schalteigenschaften auf. Dadurch sind sie für die anspruchsvollsten Hochleistungswandler geeignet.
Sehr geringe Gate-LadungProfil mit ausgezeichneter Ausgangskapazität (COSS)100%ig auf Stoßentladung geprüftZenerdioden-geschütztQg sehr niedrig für erhöhte EffizienzOptimierte Gate-Ladung und Kapazitätsprofile für Resonanzstromversorgung (LLC-Wandler)