STMicroelectronics STI28 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 22 A 170 W, 3-Pin I2PAK
- RS Best.-Nr.:
- 164-6985P
- Herst. Teile-Nr.:
- STI28N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 22A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | STI28 | |
| Gehäusegröße | I2PAK | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 150mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 9.3mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Breite | 4.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie STI28 | ||
Gehäusegröße I2PAK | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 9.3mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Breite 4.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Bei diesen Geräten handelt es sich um N-Kanal-Leistungs-MOSFETs die mit der MDmesh™-M2-Technologie entwickelt wurden. Dank des Leistenlayouts und der verbesserten senkrechten Struktur weisen diese Geräte einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und optimierte Schalteigenschaften auf. Dadurch sind sie für die anspruchsvollsten Hochleistungswandler geeignet.
Sehr geringe Gate-LadungProfil mit ausgezeichneter Ausgangskapazität (COSS)100%ig auf Stoßentladung geprüftZenerdioden-geschütztQg sehr niedrig für erhöhte EffizienzOptimierte Gate-Ladung und Kapazitätsprofile für Resonanzstromversorgung (LLC-Wandler)
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