STMicroelectronics STP3NK50Z N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 2,3 A 45 W, 3-Pin TO220AB

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RS Best.-Nr.:
165-3242
Herst. Teile-Nr.:
STP3NK50Z
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

2,3 A

Drain-Source-Spannung max.

500 V

Gehäusegröße

TO220AB

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

3,3 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

45 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

11 nC @ 10 V

Breite

4.6mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

10.4mm

Diodendurchschlagsspannung

1.6V

Höhe

15.75mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Die Super-Junction-MOSFETs der Serie M2 wurden durch die Einführung von 650-V-Bauelementen erweitert und bieten jetzt einen größeren Sicherheitsrahmen für robustere und zuverlässigere Anwendungen. Der niedrige Betriebswiderstand (bis auf 0,36 Ω im TO-220-Gehäuse) in Kombination mit der niedrigen Gate-Ladung und den Eingangs-/Ausgangskapazitäten ermöglicht hocheffiziente Adapter, Solar-Mikrowechselrichter und Beleuchtungsanwendungen.

Dieses Bauelement ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Zener-Schutz, der mit SuperMESH™-Technologie von STMicroelectronics entwickelt und durch Optimierung des bewährten streifenbasierten PowerMESH™-Layouts realisiert wurde. Neben einer erheblichen Reduzierung des Betriebswiderstands sorgt dieses Bauelement für eine hohe dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen.

Extrem hohe DV/DT-Fähigkeit
Verbesserte ESD-Eigenschaften
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Gate-Ladung minimiert
Zenerdioden-geschützt