Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 120 A 250 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)
- RS Best.-Nr.:
- 165-5155
- Herst. Teile-Nr.:
- IPI024N06N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 165-5155
- Herst. Teile-Nr.:
- IPI024N06N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 120 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Gehäusegröße | I2PAK (TO-262) | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2,4 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 250 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Breite | 4.4mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 10mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 206 nC @ 10 V | |
| Höhe | 9.25mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 120 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Gehäusegröße I2PAK (TO-262) | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 2,4 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 250 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 4.4mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 10mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 206 nC @ 10 V | ||
Höhe 9.25mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN