Infineon OptiMOS T N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 50 A 100 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

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RS Best.-Nr.:
165-5167
Herst. Teile-Nr.:
IPI50N10S3L16AKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

50 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Serie

OptiMOS T

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

29 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.4V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

100 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10mm

Breite

4.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

49 nC @ 10 V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

9.25mm

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN