Infineon CoolMOS CP N-Kanal, THT MOSFET 560 V / 9 A 83 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)
- RS Best.-Nr.:
- 165-5169
- Herst. Teile-Nr.:
- IPI50R399CPXKSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 165-5169
- Herst. Teile-Nr.:
- IPI50R399CPXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 9 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 560 V | |
| Gehäusegröße | I2PAK (TO-262) | |
| Serie | CoolMOS CP | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 399 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 83 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| Breite | 4.5mm | |
| Länge | 10.2mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 9.45mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 9 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 560 V | ||
Gehäusegröße I2PAK (TO-262) | ||
Serie CoolMOS CP | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 399 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 83 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 17 nC @ 10 V | ||
Breite 4.5mm | ||
Länge 10.2mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 9.45mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™CP
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
