Infineon CoolMOS CP IPI50R199CPXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 17 A 139 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

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RS Best.-Nr.:
165-5170
Herst. Teile-Nr.:
IPI50R199CPXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

17 A

Drain-Source-Spannung max.

550 V

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

199 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

139 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

10.36mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

34 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.52mm

Serie

CoolMOS CP

Höhe

9.45mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN