Infineon CoolMOS C6 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 20 A 151 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
RS Best.-Nr.:
165-5174
Herst. Teile-Nr.:
IPI65R190C6XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

700 V

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Serie

CoolMOS C6

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

190 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

151 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Breite

4.57mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

73 nC @ 10 V

Länge

10.36mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

9.45mm

Ursprungsland:
CN