Infineon CoolMOS C3 IPI90R800C3XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 6,9 A 104 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

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RS Best.-Nr.:
165-5208
Herst. Teile-Nr.:
IPI90R800C3XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

6,9 A

Drain-Source-Spannung max.

900 V

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

800 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

104 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Breite

4.5mm

Länge

10.2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

42 nC @ 10 V

Höhe

9.45mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

CoolMOS C3

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN