Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 120 A 250 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
165-5210
Herst. Teile-Nr.:
IPP024N06N3GXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

120 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS 3

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

2,4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

250 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Breite

4.4mm

Länge

10mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

206 nC @ 10 V

Höhe

15.65mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN