Infineon CoolMOS C3 SPI11N65C3XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 11 A 125 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

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RS Best.-Nr.:
165-5256
Herst. Teile-Nr.:
SPI11N65C3XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

11 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

380 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.9V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

125 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.36mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

45 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.52mm

Höhe

9.45mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

CoolMOS C3

Ursprungsland:
CN