Infineon CoolMOS CFD N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 22 A 195,3 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 165-5261
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R150CFDAFKSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 165-5261
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R150CFDAFKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 22 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS CFD | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 150 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3.5V | |
| Verlustleistung max. | 195,3 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Breite | 5.16mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 86 nC bei 10 V | |
| Länge | 16.03mm | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 22 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS CFD | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 150 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3.5V | ||
Verlustleistung max. 195,3 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Breite 5.16mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 86 nC bei 10 V | ||
Länge 16.03mm | ||
Höhe 21.1mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN