Infineon HEXFET IRF6217TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 700 mA 2,5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
165-5295
Herst. Teile-Nr.:
IRF6217TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

700 mA

Drain-Source-Spannung max.

150 V

Gehäusegröße

SOIC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

2,4 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

6 nC @ 10 V

Breite

4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

5mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

HEXFET

Höhe

1.5mm