Infineon OptiMOS T2 IPB80N03S4L03ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 80 A 94 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
165-5313
Herst. Teile-Nr.:
IPB80N03S4L03ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

94 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +16 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

60 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.31mm

Breite

9.45mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Serie

OptiMOS T2

Höhe

4.572mm

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN