Infineon HEXFET IRFH7107TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 75 A 104 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
165-5362
Herst. Teile-Nr.:
IRFH7107TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

75 A

Drain-Source-Spannung max.

75 V

Gehäusegröße

PQFN

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

8,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

104 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

5mm

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

5.85mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

48 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1.17mm

Serie

HEXFET

Ursprungsland:
CN