Infineon HEXFET IRFB7787PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 76 A 125 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
165-5439
Herst. Teile-Nr.:
IRFB7787PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

76 A

Drain-Source-Spannung max.

75 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

8,4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.7V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

125 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.83mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

73 nC @ 10 V

Länge

10.67mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Serie

HEXFET

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

16.51mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN