Infineon HEXFET N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,6 A; 6,8 A 2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
165-5525
Herst. Teile-Nr.:
IRF9389TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N, P

Dauer-Drainstrom max.

4,6 A; 6,8 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SOIC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

40 mΩ, 103 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.3V

Gate-Schwellenspannung min.

1.3V

Verlustleistung max.

2 W

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

6,8 nC @ 10 V, 8,1 nC @ 10 V

Länge

5mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Breite

4mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

1.5mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN