Infineon OptiMOS-T N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 17 A 107 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 165-5608
Herst. Teile-Nr.:: IPB17N25S3100ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS-T N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 17 A 107 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:: 165-5608
Herst. Teile-Nr.:: IPB17N25S3100ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	17A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	250V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	OptiMOS-T
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	100mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	14nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	107W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	9.25mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	4.4mm
	Länge	10mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 250V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie OptiMOS-T
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 100mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 107W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 9.25mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 4.4mm
	Länge 10mm
	Automobilstandard AEC-Q101

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:: CN

MOSFET der OptiMOS-T-Serie von Infineon, 250 V maximale Drain-Source-Spannung, 17 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPB17N25S3100ATMA1

Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontiertes N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Hochspannungsschaltungen in Automobil- und industriellen Stromversorgungssystemen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen konzipiert, die eine robuste thermische Beständigkeit und eine kontrollierte Schaltleistung erfordern, ohne dass es zu Details in seinem mechanischen Gehäuse oder seiner Pinanzahl geht.

Merkmale und Vorteile:

• 250 V Drain-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• 17 A kontinuierlicher Ablassstrom für erhebliche Lastströme
• 100 mΩ maximaler RDS(on) reduziert Leitungsverluste in Leistungsstufen
• 14 nC Gate-Typ-Ladung für effiziente Schaltsteuerung
• 0,9 V Durchlassspannungsreduzierdiode Leitungsabfall
• Maximale Verlustleistung von 107 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandler in Fahrzeugen
• Ideal für Motorantriebs-Halbbrücken in der Automobilelektronik
• Wird mit Power-Management-Modulen in industriellen Stromversorgungen verwendet
• Kann für Primärschalter mit Schaltnetzteil verwendet werden

Welche Gate-Drive-Bedenken sollte ich bei der Schaltleistung berücksichtigen?

Verwenden Sie einen Treiber, der die Gate-Ladung innerhalb des gewünschten Schaltintervalls liefern kann

Die typische Ladung von 14 nC ermöglicht es Ihnen, Spitzen-Gate-Strom und Schaltverluste für die gewählte Antriebsspannung zu schätzen.

Wie wirkt sich die thermische Umgebung auf die Dauerstromfähigkeit aus?

Die Verlustleistung des Geräts von 107 W erfordert ein angemessenes thermisches Design der Leiterplatte und eine Wärmeableitung, um bei der Übertragung des angegebenen Dauerstroms von 17 A sichere Sperrschichttemperaturen aufrechtzuerhalten.

Welche Schutzgrenzwerte gelten für das Gate des Geräts?

Stellen Sie sicher, dass die Gate-Spannung innerhalb von ±20 V bleibt, um eine Überbelastung des Gate-Oxids zu vermeiden, und berücksichtigen Sie die Unterdrückung von Transienten, wenn sie induktiven Schaltspitzen ausgesetzt sind.

Wie tolerant ist das Gerät gegenüber Kaltstart und Hochtemperaturbetrieb?

Es ist spezifiziert für den Betrieb von niedrigen Automobiltemperaturen bis hin zu erhöhten Bedingungen, was den Einsatz in Systemen mit großen Umgebungstemperaturschwankungen erleichtert.