Infineon OptiMOS IPB80N06S209ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 80 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
165-5609
Herst. Teile-Nr.:
IPB80N06S209ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

9,1 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

190 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Breite

9.25mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

60 nC @ 10 V

Länge

10mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

4.4mm

Serie

OptiMOS

Betriebstemperatur min.

–55 °C

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN