Infineon OptiMOS 3 IPB029N06N3GE8187ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 188 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 165-5661
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB029N06N3GE8187ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- IPB029N06N3GE8187ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 120 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3,2 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 188 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 10.31mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 124 nC bei 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 9.45mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 120 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 3,2 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 188 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 10.31mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 124 nC bei 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 9.45mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 4.57mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V
optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.
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MOSFET-Transistoren, Infineon
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