Infineon HEXFET IRF6218STRLPBF P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 27 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
165-5679
Herst. Teile-Nr.:
IRF6218STRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

27 A

Drain-Source-Spannung max.

150 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

150 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

250 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

9.65mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

71 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.67mm

Serie

HEXFET

Höhe

4.83mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
MX