Infineon CoolMOS CP IPB50R199CPATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 550 V / 17 A 139 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
165-5687
Herst. Teile-Nr.:
IPB50R199CPATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

17 A

Drain-Source-Spannung max.

550 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

199 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

139 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

9.45mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

34 nC @ 10 V

Länge

10.31mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

4.572mm

Serie

CoolMOS CP

Betriebstemperatur min.

–55 °C

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN