Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 20 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 165-5715
Herst. Teile-Nr.:: IRF7832TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 20 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 165-5715
Herst. Teile-Nr.:: IRF7832TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	20A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	SOIC
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	4.8mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	2.5W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	34nC
	Durchlassspannung Vf	1V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	-20, +20V
	Maximale Betriebstemperatur	155°C
	Höhe	1.5mm
	Breite	4mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	5mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße SOIC
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.8mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 2.5W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC
	Durchlassspannung Vf 1V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V
	Maximale Betriebstemperatur 155°C
	Höhe 1.5mm
	Breite 4mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 5mm
	Automobilstandard Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 20 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - IRF7832TRPBF

Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontiertes N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Leistungsschaltung und -steuerung in kompakten elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, der für industrielle Umgebungen geeignet ist, und lässt sich in Standard-SOIC-Abmessungen für die Leiterplattenmontage integrieren. Es bietet ein Gleichgewicht zwischen Strombelastbarkeit und überschaubarer Verlustleistung für Bauformen mit mittlerer Leistung.

Merkmale und Vorteile:

• Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 4,8 mΩ ermöglicht geringere Leitungsverluste
• 20 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung von Hochstromlasten
• 30 V Drain-Source-Nennleistung für gängige Niederspannungs-Stromversorgungsschienen
• 34 nC typische Gate-Ladung für schnellere Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 2,5 W für dauerhaftes Wärmemanagement
• Gate-Source-Toleranz von ±20 V ermöglicht flexible Antriebsstufen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Schaltstufen von DC/DC-Wandlern
• Ideal für Motorantriebs-Leistungsschalter in kompakter Bauweise
• Wird mit synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten in Telekommunikationsanlagen verwendet werden
• Geeignet für Batteriemanagement und Stromverteilung

Welchen thermischen Extremen kann er im Betrieb standhalten?

Das Gerät ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 155 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz unter rauen industriellen Temperaturbedingungen.

Wie viele Pins bietet das Gehäuse für das Leiterplatten-Layout?

Er wird in einem 8-poligen SOIC-Gehäuse geliefert, das die Platzierung in der Standardabmessung und die thermische Ausbreitung unterstützt.

Welche Gate-Antriebsaspekte ergeben sich aus der Gate-Ladung?

Bei einer typischen Gate-Ladung von 34 nC müssen die Treiber ausreichend Spitzenstrom liefern, um die gewünschte Schaltgeschwindigkeit ohne übermäßige Antriebsverluste zu erreichen.

Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf die Reihenschaltung aus?

Die gemessene Durchlassspannung von 1 V wirkt sich auf den Abfall der intrinsischen Dioden-Ereignisse aus und sollte bei der Entwicklung einer Rückwärtserholung oder einer Body-Diode-Leitung berücksichtigt werden.