Infineon HEXFET IRF7832TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 20 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 165-5715
Herst. Teile-Nr.:: IRF7832TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF7832TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 20 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 165-5715
Herst. Teile-Nr.:: IRF7832TRPBF
Marke:: Infineon

IRF7832TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	20 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	SOIC
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	4,8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.32V
Gate-Schwellenspannung min.	1.39V
Verlustleistung max.	2,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+155 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	34 nC @ 4,5 V
Breite	4mm
Länge	5mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.5mm

Infineon HEXFET IRF7832TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 20 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon

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