Infineon SIPMOS BSO615CGHUMA1 N/P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2 A; 3,1 A 2 W, 8-Pin DSO
- RS Best.-Nr.:
- 165-5830
- Herst. Teile-Nr.:
- BSO615CGHUMA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 165-5830
- Herst. Teile-Nr.:
- BSO615CGHUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N, P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2 A; 3,1 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | DSO | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 150 mΩ, 450 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 2 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 4mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 5mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 13,5 nC @ 10 V, 15 nC @ 10 V | |
| Höhe | 1.45mm | |
| Serie | SIPMOS | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N, P | ||
Dauer-Drainstrom max. 2 A; 3,1 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße DSO | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 150 mΩ, 450 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 2 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 4mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 5mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 13,5 nC @ 10 V, 15 nC @ 10 V | ||
Höhe 1.45mm | ||
Serie SIPMOS | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN