Infineon HEXFET IRF7307TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4,7 A; 5,7 A 2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
165-5937
Herst. Teile-Nr.:
IRF7307TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N, P

Dauer-Drainstrom max.

4,7 A; 5,7 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

SOIC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

70 mΩ, 140 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

0.7V

Gate-Schwellenspannung min.

0.7V

Verlustleistung max.

2 W

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Länge

5mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

20 nC @ 4,5 V, 22 nC @ 4,5 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Breite

4mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1.5mm

Serie

HEXFET

Ursprungsland:
MY