Infineon HEXFET IRF7314TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 5,3 A 2 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 165-5938
Herst. Teile-Nr.:: IRF7314TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF7314TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 5,3 A 2 W, 8-Pin SOIC

Nicht mehr im Sortiment

RS Best.-Nr.:: 165-5938
Herst. Teile-Nr.:: IRF7314TRPBF
Marke:: Infineon

IRF7314TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	5,3 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	SOIC
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	98 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	0.7V
Gate-Schwellenspannung min.	0.7V
Verlustleistung max.	2 W
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-12 V, +12 V
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	5mm
Breite	4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Gate-Ladung typ. @ Vgs	19 nC @ 4,5 V
Höhe	1.5mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon HEXFET IRF7314TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 5,3 A 2 W, 8-Pin SOIC

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 20 V, Infineon

Verwandte Produkte