Infineon OptiMOS IPD30N06S2L23ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
165-5950
Herst. Teile-Nr.:
IPD30N06S2L23ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

30 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

30 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

100 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

6.22mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

6.5mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

33 nC @ 10 V

Höhe

2.3mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

OptiMOS

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN