Infineon OptiMOS BSC050NE2LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 58 A 28 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 165-5985
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC050NE2LSATMA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 165-5985
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC050NE2LSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 58 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 25 V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 7,1 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V | |
| Verlustleistung max. | 28 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 5 nC @ 4,5 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 6.1mm | |
| Breite | 5.35mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Serie | OptiMOS | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 58 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 25 V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 7,1 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.2V | ||
Verlustleistung max. 28 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 5 nC @ 4,5 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 6.1mm | ||
Breite 5.35mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Serie OptiMOS | ||
Höhe 1.1mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN