Infineon SIPMOS SPD15P10PLGBTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 15 A 128 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 165-5987
- Herst. Teile-Nr.:
- SPD15P10PLGBTMA1
- Marke:
- Infineon
Bestandsabfrage leider nicht möglich
- RS Best.-Nr.:
- 165-5987
- Herst. Teile-Nr.:
- SPD15P10PLGBTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 15 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 270 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 128 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 6.73mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 47 nC @ 10 V | |
| Breite | 6.22mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 15 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 270 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 128 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 6.73mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 47 nC @ 10 V | ||
Breite 6.22mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Serie SIPMOS | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 2.41mm | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN