Vishay SQ Rugged SQM120N06-3M5L_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
165-6031
Herst. Teile-Nr.:
SQM120N06-3M5L_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

120 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

8 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

1.5V

Verlustleistung max.

375 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

9.652mm

Länge

10.41mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

220 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

AEC-Q101

Serie

SQ Rugged

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

4.826mm

Ursprungsland:
TW