Vishay SIA429DJT-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8,5 A 19 W, 6-Pin PowerPAK SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 165-6298
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA429DJT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SIA429DJT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 8,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SC-70 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 60 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V | |
| Verlustleistung max. | 19 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 2.15mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 41 nC @ 8 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 2.15mm | |
| Höhe | 0.6mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 8,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SC-70 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 60 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.4V | ||
Verlustleistung max. 19 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 2.15mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 41 nC @ 8 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 2.15mm | ||
Höhe 0.6mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN