Vishay SI5513CDC-T1-GE3 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3 A, 3,5 A 3,1 W, 8-Pin 1206 ChipFET

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RS Best.-Nr.:
165-6330
Herst. Teile-Nr.:
SI5513CDC-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N, P

Dauer-Drainstrom max.

3 A, 3,5 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

1206 ChipFET

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

85 mΩ, 255 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.6V

Verlustleistung max.

3,1 W

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Breite

1.7mm

Länge

3.1mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

2,8 nC @ 5 V, 3,9 nC @ 5 V

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

1.1mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN