Vishay TrenchFET SI8487DB-T1-E1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6,2 A 2,7 W, 4-Pin MICRO FOOT

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RS Best.-Nr.:
165-6343
Herst. Teile-Nr.:
SI8487DB-T1-E1
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

6,2 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

MICRO FOOT

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand max.

45 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.6V

Verlustleistung max.

2,7 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

1.6mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

52 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

1.6mm

Serie

TrenchFET

Höhe

0.31mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN