Microchip DN3135 DN3135K1-G N-Kanal, SMD MOSFET 350 V / 72 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 165-6450P
- Herst. Teile-Nr.:
- DN3135K1-G
- Marke:
- Microchip
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Produktdetails
MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus
Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.
Merkmale
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Typische Anwendungen:
Schließerschalter
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation
Der DN3135 ist ein (normally on) Transistor mit Verarmungsmodus und niedrigem Schwellenwert, für den die fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren verwendet wurde. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Hohe EingangsimpedanzNiedrige EingangskapazitätSchnelle SchaltgeschwindigkeitenGeringer Widerstand im eingeschalteten ZustandFrei von sekundärer DurchschlagsspannungNiedriger Eingangs- und Leckstrom
MOSFET-Transistoren, Microchip
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 72 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 350 V |
| Serie | DN3135 |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 35 Ω |
| Channel-Modus | Depletion |
| Verlustleistung max. | 360 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -3,5 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 1.4mm |
| Länge | 3.04mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.8V |
| Höhe | 1.02mm |